由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。该产品具有耐高压、损耗低、可靠性强等特点，尤其是解决了芯片短路电流能力与关断能力难协调的国际性技术难题，总体技术处于国际领先水平。
IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域，被誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。
此前，我国掌握了低电压等级条件下IGBT芯片产品的研发、生产、封装等成套技术。但高电压IGBT芯片技术一直被英飞凌、ABB、三菱等少数几个国外企业垄断、控制。随着高速动车、大功率机车、智能电网等飞速发展，我国对高电压条件下的IGBT芯片需求猛增，成为全球最大需求国。
南车时代在引进吸收的基础上，相继研发出具有完全自主知识产权的3300伏、4500伏、6500伏IGBT芯片。据介绍，6500伏IGBT芯片是国内目前电压等级最高超级芯片，与3300伏芯片相比，其功耗降低10%以上，功率提高25%以上，最高工作温度可到150℃，可靠性更强、安全性能更高、应用范围更广。该产品研制成功，打破了国外在这一领域的技术封锁，填补了国内空白。
目前，南车时代投资15亿元建设的国际先进IGBT芯片生产线已进入工艺调试阶段，预计明年上半年可以投产。届时，仅6500伏IGBT芯片一项，每年可为国家节约60亿元以上的采购成本。
